CSAR 62(제품 코드 AR-P 6200)는 독일 ALLRESIST가 개발한 positive 전자빔(e-beam) 레지스트로, 전자빔 리소그래피(EBL)에서 널리 쓰이는 ZEP520 / ZEP520A의 대체재로 잘 알려져 있습니다. JPDREAM은 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 CSAR 62 (AR-P 6200)를 국내에 공급합니다.
| 톤(tone) | Positive |
|---|---|
| 베이스 폴리머 | poly(α-methyl styrene-co-α-chloroacrylate methylester) · 안전 용제 anisole |
| 변종·막두께 | 6200.18(18%, 0.80 µm) · .13(13%, 0.40 µm) · .09(9%, 0.20 µm) · .04(4%, 0.08 µm) @ 4000 rpm (0.05~1.6 µm) |
| 해상도(resolution) | 최고 6 nm (80 nm 막, 6°C 현상) · 표준 < 10 nm |
| 콘트라스트(contrast) | 14 (매우 높음) |
| 감도(sensitivity) | PMMA 대비 3배(AR 600-546)~6배(AR 600-548); D₀ ≈ 55 µC/cm² @ 30 kV |
| 식각 내성 | 높음 — CF₄+O₂ 플라즈마에서 ZEP 520A와 동등 이상 |
| 내열성(thermal) | 유리전이온도 128°C / 유전상수 2.8 / 인화점 44°C, 보관 10~18°C |
| 후막 적용 | 6200.13으로 800 nm, 실험샘플 SX AR-P 6200/10으로 1.6 µm까지 |
| 공정 화학 | 밀착 AR 300-80 new · 현상액 AR 600-546/600-548/600-549 · 씨너 AR 600-02 · 스토퍼 AR 600-60 · 리무버 AR 600-71/AR 300-76 |
사양은 ALLRESIST 공식 데이터시트 기준의 대표값이며, 변종(.xx)·공정 조건에 따라 달라질 수 있습니다.
정확한 감도·해상도·두께별 수치는 ALLRESIST 공식 데이터시트 기준이며, JPDREAM에 요청하시면 제공해 드립니다.
CSAR 62 (AR-P 6200)는 ZEP520 / ZEP520A를 대체하는 positive e-beam 레지스트로 폭넓게 사용되어 왔습니다. 기존 ZEP 공정에서 대체를 검토하시는 경우, 공정 조건(현상액·노광 조건 등) 매칭에 대해 JPDREAM이 자료와 함께 안내해 드립니다. 사용 중이신 공정 환경을 알려주시면 적합 여부를 함께 검토하겠습니다.
JPDREAM이 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 국내에 공급합니다. 아래로 문의하시면 견적·납기를 안내해 드립니다.
CSAR 62 (AR-P 6200)는 ZEP520 계열의 대체재로 널리 사용됩니다. 공정 조건 매칭은 사용 환경에 따라 달라지므로, 현재 공정을 알려주시면 함께 검토해 드립니다.
평균 발주 후 2~3주 이내입니다. 특수 photoresist 특성상 일반적으로 재고를 보유하지 않고 주문 공급합니다.
네, JPDREAM에 요청하시면 ALLRESIST 공식 데이터시트와 SDS를 제공해 드립니다.