Medusa 82(SX AR-N 8200/1)는 silsesquioxane 기반 negative 전자빔 레지스트로, HSQ와 동등 계열이면서 공정 안정성·제거 용이성·보관 수명이 더 우수합니다. 자매품 Medusa 82 UV(SX AR-N 8250/1)는 광산발생제(PAG)를 함유해 별도 열처리 없이 약 20배 높은 감도를 내며, EUV(13.5 nm)·DUV(250 nm) 영역에도 감응합니다. HSQ(FOx) 단종 이후 대체를 검토하신다면 JPDREAM(ALLRESIST 공식 한국 대리점)으로 문의해주세요. 주문형(experimental sample/custom-made) 제품입니다. JPDREAM은 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 국내에 공급합니다.
| 톤(tone) | Negative tone (silsesquioxane 기반, HSQ 동등 계열) |
|---|---|
| 변종·막두께 | 8200.03(고형분 3%, 50 nm) · 8200.06(6%, 100 nm) · 8200.18(18%, 400 nm) @ 4000 rpm — 82 UV(8250)도 동일 막두께 |
| 해상도(resolution) | Medusa 82: 10~20 nm (8200.03/1로 11 nm 구조 시연) / 82 UV: 15~20 nm |
| 콘트라스트(contrast) | Medusa 82: 5 (AR 300-44 현상 기준 4.7) / 82 UV: 8 |
| 감도(sensitivity) | 30 kV 기준 1300 µC/cm² → 하드베이크(170°C, 10분) 시 60~85 µC/cm² (최대 20배 향상) / 82 UV는 PEB 없이 60~85 µC/cm² |
| 노광(exposure) | e-beam (30·100 kV) — 82 UV는 EUV(13.5 nm)·DUV(250 nm)에도 감응 |
| 용제(solvent) | 1-methoxy-2-propanol (PGME) |
| 인화점·보관 | 인화점 38°C / 냉장 8~12°C 보관, 보증 6개월 — 도포 후 기판은 상온에서 수 주 보관 가능 |
| 공정 화학 | 현상액 AR 300-44 (AR 300-46/47/73도 가능) · 씨너 AR 600-07 · 스토퍼 DI water · 리무버 2n NaOH, BOE |
사양은 ALLRESIST 공식 데이터시트 기준의 대표값이며, 농도(.xx)·공정 조건에 따라 달라질 수 있습니다. 정확한 데이터시트와 SDS는 JPDREAM에 요청하시면 제공해 드립니다.
sub-20 nm 고해상도 나노패터닝, 식각 마스크(etch mask), EUV 리소그래피 연구(82 UV), HSQ 기반 공정의 대체 검토에 사용됩니다. DuPont FOx(HSQ) 단종 이후 동일 silsesquioxane 계열 대체 후보로서, 열처리에 민감한 기판에는 PEB가 필요 없는 82 UV가 적합합니다.
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JPDREAM이 ALLRESIST 공식 한국 대리점으로서 국내에 공급합니다. 아래로 문의하시면 견적·납기를 안내해 드립니다.
평균 발주 후 2~3주 이내입니다. 일반적으로 재고를 보유하지 않고 주문 공급합니다.
네, JPDREAM에 요청하시면 ALLRESIST 공식 데이터시트와 SDS를 제공해 드립니다.
Medusa 82는 동일한 silsesquioxane 계열의 negative 전자빔 레지스트로, HSQ 대비 보관 수명과 공정 안정성이 우수합니다. 다만 현상·선량 조건이 다를 수 있어 공정 검토를 권장합니다. 데이터시트 비교는 JPDREAM에 요청해주세요.
Medusa 84(SX AR-N 8400)는 butyl acetate 용제의 SiH형 HSQ 레지스트이고, Medusa 82는 PGME(1-methoxy-2-propanol) 용제를 사용합니다. 감도 향상 방식(하드베이크/PAG)과 공정 화학도 다르므로 용도에 맞게 선택하시면 됩니다.